东莞市讯微电子有限公司

*现货供应 可控硅MCR100-6

品牌/商标:ON/MOT 型号/规格:MCR100-6 控制方式:单向 *数:二* 封装材料:树脂封装 封装外形:平板形 关断速度:普通 散热功能:不带散热片 频率特性:中频 功率特性:*率 额定正向平均电流:10（A） 控制*触发电流:10（mA）

*现货供应 单向可控硅PCR606

品牌/商标:ON/ST/长电 型号/规格:PCR606/TO-92 控制方式:单向 *数:二* 封装材料:树脂封装 封装外形:平板形 关断速度:普通 散热功能:不带散热片 功率特性:*率 频率特性:中频 额定正向平均电流:5（A） 控制*触发电压:50（V） 控制*触发电流:10（mA） 正向重复峰值电压:20（V） 反向阻断峰值电压:10（V）

*现货供应 MOS管IRLML6401TRPBF

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRLML6401TRPBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:30（V） 夹断电压:10（V） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:20（dB） 漏*电流:10（mA） 耗散功率:20（mW）

*现货供应 双栅N沟道场效应管BF998

*现货供应 三*管2*772

品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:2*772 应用范围:功率 功率特性:大功率 频率特性:中频 *性:PNP型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:to-126 封装材料:树脂封装 截止频率fT:100（MHz） 集电*允许电流ICM:4（A） 集电*耗散功率PCM:120m（W） 营销方式:现货 产品性质:*

*现货供应 三*管KRC102S

品牌/商标:KEC 型号/规格:KRC102S 应用范围:开关 功率特性:*率 频率特性:中频 *性:NPN型 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:树脂封装 截止频率fT:100（MHz） 集电*允许电流ICM:200M（A） 集电*耗散功率PCM:225M（W） 营销方式:现货 产品性质:*

*现货供应 开关三*管2N4403

品牌/商标:ON/*童/长电 型号/规格:2N4403 应用范围:放大 功率特性:*率 频率特性:中频 *性:PNP型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:TO-92 封装材料:树脂封装 截止频率fT:100（MHz） 集电*允许电流ICM:500M（A） 集电*耗散功率PCM:10（W） 营销方式:现货 产品性质:*

*现货供应 三*管S9011G

品牌/商标:长电 型号/规格:S9011G 应用范围:开关 功率特性:*率 频率特性:中频 *性:NPN型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:TO-92 封装材料:树脂封装 截止频率fT:50（MHz） 集电*允许电流ICM:200M（A） 集电*耗散功率PCM:500M（W） 营销方式:现货 产品性质:*

*现货供应 三*管M*TA06LT1G

品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:M*TA06LT1G 应用范围:高反压 功率特性:*率 频率特性:中频 *性:NPN型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:sot-23 封装材料:树脂封装 截止频率fT:100（MHz） 集电*允许电流ICM:500m（A） 集电*耗散功率PCM:225m（W） 营销方式:现货 产品性质:*

*现货供应 晶体管BC848A

品牌/商标:DIOD*/美台 型号/规格:BC848A 应用范围:开关 功率特性:*率 频率特性:中频 *性:PNP型 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:SOT-23 封装材料:树脂封装 截止频率fT:100（MHz） 集电*允许电流ICM:150M（A） 集电*耗散功率PCM:225M（W） 营销方式:现货 产品性质:*

*现货供应 晶体管BC847A

品牌/商标:DIOD*/美台 型号/规格:BC847A 应用范围:开关 功率特性:*率 频率特性:中频 *性:PNP型 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:SOT-23 封装材料:树脂封装 截止频率fT:100（MHz） 集电*允许电流ICM:100M（A） 集电*耗散功率PCM:200M（W） 营销方式:现货 产品性质:*

*现货供应 晶体管BC817-25

品牌/商标:KEC/*童 型号/规格:BC817-25 应用范围:开关 功率特性:*率 频率特性:中频 *性:NPN型 结构:面接触型 封装形式:SOT-23 封装材料:树脂封装 截止频率fT:100（MHz） 集电*允许电流ICM:100M（A） 集电*耗散功率PCM:200M（W） 营销方式:现货 产品性质:*

*现货供应 晶体管BC846A

品牌/商标:DIOD*/美台 型号/规格:BC846A 应用范围:开关 功率特性:*率 频率特性:中频 *性:PNP型 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:SOT-23 封装材料:树脂封装 截止频率fT:100（MHz） 集电*允许电流ICM:100M（A） 集电*耗散功率PCM:200M（W） 营销方式:现货 产品性质:*

*现货供应 三*管2SC1624

品牌/商标:Vishay/威世通 型号/规格:2SC1624 应用范围:开关 功率特性:大功率 *性:NPN型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:TO-220 封装材料:塑料封装 截止频率fT:20（MHz） 集电*允许电流ICM:10（A） 集电*耗散功率PCM:15（W） 营销方式:现货 产品性质:*

*现货供应 PNP开关三*管2N3906

品牌/商标:VISHAY/长电/*童 型号/规格:2N3906 应用范围:开关 功率特性:*率 频率特性:中频 *性:PNP型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:TO-92 封装材料:树脂封装 截止频率fT:100（MHz） 集电*允许电流ICM:3（A） 集电*耗散功率PCM:9（W） 营销方式:现货 产品性质:*

*现货供应ER1002F

品牌/商标:PANJIT/强茂 型号/规格:ER1002F 产品类型:整流管 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:树脂封装 功率特性:大功率 频率特性:中频 发光颜色:红色 LED封装:无色透明封装(T) 出光面特征:方形 正向直流电流IF:10（A） 反向电压:100（V）

*现货供应 变容二*管1SV101

产品类型:变容管 品牌/商标:TOSHIBA/国产 型号/规格:1SV101 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:TO-92S 封装材料:树脂封装 功率特性:*率 频率特性:中频 发光颜色:红色 LED封装:无色透明(T) 出光面特征:圆灯 发光强度角分布:标准型 反向电压VR:15（V） 正向直流电流IF:200（mA）

*现货供应 三*管2SD882

品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:2SD882 应用范围:功率 功率特性:大功率 频率特性:中频 *性:NPN型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:TO-126 封装材料:树脂封装 截止频率fT:100（MHz） 集电*允许电流ICM:3（A） 集电*耗散功率PCM:200M（W）

*现货供应 三*管S8550D

品牌/商标:FAIRCHILD/长电/ST 型号/规格:S8550D 应用范围:功率 功率特性:*率 频率特性:中频 *性:PNP型 结构:平面型 材料:硅(Si) 封装形式:TO-92 封装材料:树脂封装 截止频率fT:100（MHz） 集电*允许电流ICM:100M（A） 集电*耗散功率PCM:200M（W） 营销方式:现货 产品性质:*

*现货供应 三*管2SA1213

品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SA1213 sot-89 应用范围:功率 功率特性:*率 频率特性:中频 *性:PNP型 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:树脂封装 截止频率fT:100（MHz） 集电*允许电流ICM:150m（A） 集电*耗散功率PCM:200m（W） 营销方式:现货 产品性质:*